氧化物壓敏電阻常規(guī)參數(shù)

1)壓敏電壓。常稱U1ma值，此參數(shù)與壓敏電阻基片厚度之比稱為電壓梯度(V／mm)。浪涌保護(hù)器參加測試的氧化物壓敏電阻規(guī)格統(tǒng)一為34mm~34mm／621(截面積電壓比)，可是基片厚度從2．8—3．8mm不等，電壓梯度

也從160~210V／mm不等(這里指的是燒成后的電壓梯度，俗稱熟梯)。大量的試驗(yàn)和應(yīng)用已驗(yàn)證電壓梯度不能太高，高了固然會使限制電壓低一點(diǎn)，成本低一點(diǎn)，但帶來的機(jī)械強(qiáng)度不夠、不耐沖擊，交流

耐受差(熱容量低)等缺點(diǎn)，會給使用帶來不安全因素。所以只要限制電壓能滿足技術(shù)要求，其電壓梯度越低越好。按照氧化物壓敏電阻結(jié)構(gòu)和制造丁藝來說，配方確定以后，其微觀結(jié)構(gòu)中的尖晶石表面

能積也就決定了。尖晶石在有效體積內(nèi)數(shù)量越多，形狀越均勻，浪涌保護(hù)器氧化物壓敏電阻的整體性能表現(xiàn)也就越好，所以在氧化物壓敏電阻的生產(chǎn)過程中，材料的均勻性、顆粒的正態(tài)分布特性決定了氧化物壓敏

電阻的特性，在生產(chǎn)丁藝中氣隙要盡量少，才能燒制出發(fā)育完整成熟的晶體，以使其具有穩(wěn)定的品界層。
按現(xiàn)行MOV的結(jié)構(gòu)形式和限制電壓要求，壓敏電阻基片的電壓梯度(熟梯)在130～
160V／mm是比較合理的，也就是說620V壓敏電阻，其厚度為4mm左右。
2)泄漏電流與壓比。泄漏電流(／n)是在ulma值的75%電壓情況下測得的。各個(gè)廠產(chǎn)品差別較大，從1—20ua都有，該參數(shù)在常規(guī)測試時(shí)只要穩(wěn)定、不漂移就行，重要的是大電流沖擊后變化串不能太大。壓

比是壓敏電壓u)，。值與叭、。。值之比。該參數(shù)對MOV制造沒有實(shí)際意義(除特殊用途外)。
常規(guī)測試以上參數(shù)，可了解氧化物壓敏電阻在制造過程巾是否做了退火處理。經(jīng)過退火處理的基片／n比未做處理的要大一些，壓比也差一些，但熱穩(wěn)定性及大電流特性卻要好得多。
3)表面銀層。表面銀層，這對MOV制造商似乎不是難題，但如果處理不好，對MOV制造商來說卻會帶來不少麻煩。若銀層太薄，將會導(dǎo)致出現(xiàn)以下現(xiàn)象：在焊接中出現(xiàn)飛銀現(xiàn)象、大電流沖擊時(shí)極易在金屬

片與銀面間產(chǎn)生閃絡(luò)(銀鍋臺金的結(jié)合部位)、大電流溢散密度不夠，銀層附著力不夠、在大電流沖擊時(shí)容易產(chǎn)生揭蓋等。而目前市場上MOV的電極銀面大都不夠理想，不是銀層太薄，就是附著力不好(包

括歐洲產(chǎn)品)，而且大多是用分子銀膏制成的，盡管成本低，但在應(yīng)用中其可焊性、大電流溢散性、附著力均不如氧化銀膏制作得好。好的銀層表面應(yīng)該反射出金屑的光澤，且其厚度不低于30rmi，燒銀

溫度大都在600~C之上，附著力>
12N(kg·m／s~)。
4)表面平整度。收集到的各廠商的基片平整度相差甚遠(yuǎn)，最好的基片點(diǎn)間差值為o．03一o．04mm，浪涌保護(hù)器最差的點(diǎn)間差值為o．1mm以上，這樣的基片對MOV制造廠的焊接工藝造成很大困難。因?yàn)闆_壓成形的金屬

片其平整度很好，使得基片與金屬片二者間的結(jié)合完全靠錫去填充。
平整度不好的基片很難保證焊接過程中沒有夾渣或氣隙，在瞬間大電流通過時(shí)產(chǎn)生的沖擊電場力與反作用／J，會因此缺陷而產(chǎn)生損傷，輕者閃絡(luò)、揭蓋，重者爆發(fā)。所以理想的基片應(yīng)該是磨了平面再披

銀面，否則應(yīng)該嚴(yán)格控制基片的燒結(jié)工藝(基片的平整度不好主要是燒成的墊板變形造成的，在燒制中要使其形變越小越好)。從這個(gè)意義上來說，電壓梯度低的產(chǎn)品，也就是厚度厚一些的產(chǎn)品好控制些

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